Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC

Рыбалка, С. Б.; Краюшкина, Е. Ю.; Хвостов, В. А.; Демидов, А. А.

Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC

Рыбалка, С. Б., Краюшкина, Е. Ю., Хвостов, В. А., Демидов, А. А.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T09:20:12Z

Аннотация:

Вольт-амперная характеристика диода Шоттки ₄H-SiC с контактом Шоттки из Ni в прямом направлении была рассчитана и смоделирована на основе теории термоэлектронной эмиссии и физической аналитической модели основанной на уравнении Пуассона, уравнений диффузии и непрерывности

Ключевые слова:
физика, физика твердого тела, физика полупроводников, полупроводники, карбид кремния, диоды, диоды Шоттки, термоэлектронная эмиссия, уравнение Пуассона

Тип: Article