Исследование dV/dt характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки

Рыбалка, С. Б.; Демидов, А. А.; Кульченков, Е. А.; Дракин, А. Ю.

Исследование dV/dt характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки

Рыбалка, С. Б., Демидов, А. А., Кульченков, Е. А., Дракин, А. Ю.

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T09:33:02Z

Аннотация:

Впервые сконструирован отечественный экспериментальный тестер для определения dV/dt характеристик диодов при подаче амплитуды импульса обратного напряжения VA через диод Шоттки (300+950 В). Экспериментально установлено, что при подаче амплитуды импульса обратного напряжения через диод 900 В значение dV/dt для отечественного SiC коммерческого диода составляют 148 +308 В/нс, которые сопоставимы с коммерческими зарубежными диодами. Определенные значения dV/dt для отечественных SiC коммерческих диодов Шоттки больше, чем типичные значения dV/dt для таких зарубежных типов устройств, и диоды могут устойчиво работать без отказов в электрической силовой цепи

Ключевые слова:
физика, физика твердого тела, физика полупроводников, карбид кремния, диоды Шоттки, диоды, напряжение

Тип: Article