Основным источником информации о количественных характеристиках дефектов элементов памяти (ЭЛ) в БИ С ЗУ является обработка экспериментально полученных статистических данных. Отсутствие экспериментальных данных, может привести к необоснованному увеличению объема аппаратурных затрат с целью нейтрализации определенного количества дефектов ЭЛ в БИС ЗУ.