Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices

Dzyadukh, Stanislav M., Voytsekhovskiy, Alexander V., Gorn, Dmitriy Igorevich, Nesmelov, Sergey N.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:55:26Z

Аннотация:

Ключевые слова:
квантовые ямы, оптоэлектронные устройства, адмиттанс, МДП-структуры

Тип: статьи в журналах

Источник: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 735. P. 012012 (1-5)

Связанные документы (рекомендация CORE)