Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN

Романов, Иван Сергеевич; Прудаев, Илья Анатольевич; Копьев, Виктор Васильевич

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN

Романов, Иван Сергеевич, Прудаев, Илья Анатольевич, Копьев, Виктор Васильевич

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:05:21Z

Аннотация:

Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum Efficiency, IQE) фотолюминесценции. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN от 15 до 3 нм приводит к увеличению максимального значения IQE и сдвигу максимума в область б о льших мощностей накачки. Полученный результат объясняется с учетом уменьшения темпа оже-рекомбинации вследствие более равномерного распределения носителей заряда по активной области структур с толщиной барьеров 3 нм.

Ключевые слова:
нитриды галлия, нитриды индия, квантовые ямы, внутренняя квантовая эффективность, фотолюминесценция, туннелирование, Оже-рекомбинация

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11