Предложен новый подход в задачах активного ближнепольного сверхвысокочастотного зондирования материалов, объектов и сред. Согласно ему, зондирующее ближнее поле образуется в результате перекрытия эванесцентных полей, возникающих в условиях нарушенного полного внутреннего отражения в промежутке между большими гранями двух прямоугольных диэлектрических призм. Помещение исследуемого объекта в этот промежуток оказывает заметное влияние на характеристики отраженного излучения. На этой основе может быть произведена не только диагностика качества объекта, но и получены данные о его материальных параметрах. Описано схемное решение ближнепольного интерференционного сверхвысокочастотного микроскопа, реализующего предложенный подход. Представлены результаты тестовых измерений в условиях диагностики металлизированных полосок с разрывами.