Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC

Рыбалка, С. Б.; Краюшкина, Е. Ю.; Демидов, А. А.; Дракин, А. Ю.; Зотин, В. Ф.

Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC

Рыбалка, С. Б., Краюшкина, Е. Ю., Демидов, А. А., Дракин, А. Ю., Зотин, В. Ф.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2024-04-15T10:14:24Z

Аннотация:

Рассчитана и смоделирована вольт-амперная характеристика диода Шоттки 4H-SiC в прямом и обратном направлении на основе теории термоэлектронной эмиссии и физической аналитической модели, основанной на уравнении Пуассона, уравнений диффузии и непрерывности для различных материалов анода (Ti, W, Мо и Ni)

Ключевые слова:
физика, физика твердого тела, физика полупроводников, полупроводники, карбид кремния, диод Шоттки, термоэлектронная эмиссия, уравнение Пуассона

Тип: Article