Полупроводниковый преобразователь изображения

Сычик, В. А.; Уласюк, Н. Н.

Полупроводниковый преобразователь изображения

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:04:40Z

Аннотация:

Рассмотрены структурная схема, зонная диаграмма, принцип работы и электрофизические свойства полупроводникового преобразователя изображения, выполненного на основе p-n Si-ZnSe матричной структуры. Показано, что p-n Si-ZnSe фотодиодная матрица может быть использована в качестве чувствительного устройства радиационных и оптических интроскопов.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, полупроводниковый преобразователь, матричная структура, зонная диаграмма, электрофизические свойства

Тип: Article