Запоминающее устройство, содержащее матрицу блоков памяти с соответственно объединенными первыми, вторыми, третьими и четвертыми входами, которые являются соответственно первыми адресными, первыми, вторыми и третьими управляющими входами устройства, причем каждый блок памяти состоит из кристалла памяти, программируемого ключа, программируемого блока адреса кристалла и блока ввода-вывода информации, при этом первые адресные входы кристаллов памяти соединены с первыми адресными входами устройства, управляющие входы кристаллов памяти - с первыми управляющими входами устройства, первые входы программируемых блоков адреса
кристалла соединены со вторыми управляющими входами устройства, а выходы программируемых блоков адреса кристалла соединены с управляющими входами соответствующих блоков ввода-вывода информации, одни шины которых объединены и являются информационными шинами устройства, а другие шины блоков ввода-вывода информации соединены с информационными шинами соответствующих кристаллов памяти, шины питания которых через программируемый ключ подключены к соответствующим третьим управляющим входам устройства, другие адресные входы кристаллов памяти объединены соответственно и являются первой группой адресных входов матрицы блоков памяти, а другие входы программируемых блоков адреса кристалла, объединенные соответственно, являются второй группой адресных входов матрицы блоков памяти, устройство содержит также вторые адресные и четвертые управляющие входы, отличающееся тем, что включает блок внешней памяти,
первая и вторая группы выходов которого соединены соответственно с первой группой и второй группой адресных входов матрицы блоков памяти, а адресные и управляющие входы блока внешней памяти связаны соответственно со вторыми адресными и четвертыми управляющими входами устройства.
