Влияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктур - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Влияние толщины активного нанослоя на температурную зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе ассиметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs–гетероструктур

Махсудов, Б. И., Джураев, Х. Ш., Каримов, З.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T10:30:48Z

Ключевые слова:
полупроводниковые лазеры, инжекционные лазеры, лазерные гетероструктуры, нанотехнологии, температурная зависимость, пороговый ток лазера

Тип: Article

Связанные документы (рекомендация CORE)